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口頭

小角散乱法及びTEMによる銅中の第二相の解析

佐々木 宏和*; 磯松 岳己*; 樋口 優*; 大場 洋次郎; 大沼 正人*

no journal, , 

電子機器の小型軽量化や高性能化に伴い、電子部品に使用される銅合金には強度および導電性の向上が求められている。このような要求を満たす銅合金としてCu-Ni-Si系合金があり、Cu母相中にNi-Si系化合物が微細に析出することにより、高い強度が得られることが知られている。この強度は析出物のサイズや数密度などに依存するが、従来のTEMなどの手法ではそれらの定量的な評価が困難であった。そこで本研究では、小角散乱法を用いてCu-Ni-Si合金中の析出物の定量評価を行った。その結果、析出物のサイズなどを定量的に解析することができ、小角散乱法の有効性を示すことができた。

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